1袋(1個入)
■サンケン
■N-Channel
■VDS:100V ID:18A PD:32W
■RDS:34.7mΩ RoHS
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■東芝
■P-Channel
■VDSS:-100V ID:-20A PD:35W
■trr:76ns RDS:63mΩ RoHS
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■ローム
■VDSS:30V ID:±3.5A
■PD:1W CiSS:250PF N-ﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■■ONセミコンダクター
■VDSS:100V ID:17A RoHS
■PD:35W RDS:111mΩ N-ﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■東芝
■N-Channel
■VDSS:600V ID:9.7A PD:30W
■trr:85ns RDS:0.35Ω RoHS
------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■東芝
■N-Channel
■VDSS:600V ID:8A PD:30W
■trr:80ns RDS:0.44Ω RoHS
------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■VISHAY
■VDS:-80V ID:-0.28A
■PD:0.8W P-Channel
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■モトローラ
■VDS:60V ID:0.5A PD350mW
■N–Channel — Enhancement
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■Pﾁｬﾝﾈﾙ ﾊﾟﾜｰMOS FETｱﾚｲ
■VDSS:-60V ID:2A PD:3.5W
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(5個入)
■NEC
■VDSS:20V ID:±6A PD:2W
■CIS:980PF Nﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■NEC
■VDSS:30V VGSS:20V ID:100mA
■2SK×2 Nﾁｬﾝﾈﾙ チップFET
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■NEC
■VDSS:30V ID:±0.1A Nﾁｬﾝﾈﾙ
■PD:200mW 2SK×2 ｿｰｽｺﾓﾝ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■Nﾁｬﾝﾈﾙ　ﾃﾞｭｱﾙｼﾞｬﾝｸｼｮﾝFET
■VGDO:-40V IG:50mA PT:250mW IDSS:1.0〜3.0mA
---------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■Nﾁｬﾝﾈﾙ　ﾃﾞｭｱﾙｼﾞｬﾝｸｼｮﾝFET
■VGDO:-40V IG:50mA PT:250mW IDSS:0.5〜1.5mA
---------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■Nﾁｬﾝﾈﾙ　ﾃﾞｭｱﾙｼﾞｬﾝｸｼｮﾝFET
■VGDO:-40V IG:50mA PT:250mW IDSS:0.5〜1.5mA
---------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■Nﾁｬﾝﾈﾙ　ﾃﾞｭｱﾙｼﾞｬﾝｸｼｮﾝFET
■VGDO:-40V IG:50mA PT:500mW IDSS:2.0〜5.0mA
---------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■Nﾁｬﾝﾈﾙ　ﾃﾞｭｱﾙｼﾞｬﾝｸｼｮﾝFET
■VGDO:-40V IG:50mA PT:500mW IDSS:0.5〜1.5mA
---------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(4個入)
■東芝
■VDSS:30V ID:6A PD:2W
■Cis:1700PF Nﾁｬﾝﾈﾙ チップFET
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(4個入)
■東芝
■VDSS:-30V ID:-13A
■PD:1.9W CiSS:5880PF Pﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(5個入)
■東芝
■VDSS:-12V ID:5.5A
■PD:2.2W RDS:65mΩ Pﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■シリコニクス
■VDS:-20V ID:-0.6A PD:0.35W
■Pﾁｬﾝﾈﾙ 外形:TO-236
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(5個入)
■VISHAY
■N-Channel JFETs
■-40V 70μS 30μA
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■東芝
■VDSS:20V ID:100mA Cis:11PF
■VGSS:10V PD:100mW Nﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(4個入)
■シリコニクス
■VDS:30V ID:±7A PD:2.5W
■rDS:0.024Ω Nﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(4個入)
■シリコニクス
■VDS:20V ID:±5.4A PD:1.5W
■Nﾁｬﾝﾈﾙ 外形:TSSOP-8
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(5個入)
■ローム
■VDSS:-20V ID:±3.5A
■PD:1.25W CiSS:1200PF P-ﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(1個入)
■NEC
■N-CHANNEL GaAs MES FET
■45% typ@VDS = 6 V IDset=100mA =1.9GHz
-------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(4個入)
■FAIRCHILD
■N/P ﾁｬﾈﾙ複合 ﾁｯﾌﾟFET
■VDSS:60V(N)/-60V(P) ID:0.51A(N)/-0.34A(P)
--------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■FAIRCHILD
■VDS:30V IG:50mA PD:350mW
■RDS:100Ω Nﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)

1袋(10個入)
■ONセミコンダクター
■VDSS:20V ID:300mA PD:150mW
■RDS:0.1Ω Nﾁｬﾝﾈﾙ
----------------------------------
資料PDF(参考資料)